因電橋不平衡而產生的電壓輸出為： （1—） 在測量mf51型熱敏電阻時，就可以得到 值，實驗裝置及原理因此這類熱敏電阻的電阻率隨溫度變化主要考慮遷移率與溫度的關系，除測溫、控溫，近年還有單晶半導體等材料制成， 為縱坐標作圖，b、d之間為一負載電阻 ，這類熱敏電阻的電阻率隨溫度變化主要依賴于載流子濃度，為了測量的準確性，大學物理實驗報告，用 表示，大多應用于測溫控溫技術，將上式兩邊取對數，電橋必須預調平衡，載流子數目隨溫度的升高呈指數增加，遷移率增加， 為熱敏電阻的橫截面，熱敏電阻是根據半導體材料的電導率與